[发明专利]一种3D NAND源极选择管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种3D NAND源极选择管及其制作方法。该方法包括：提供衬底，并在衬底上形成第一栅极氧化层，GSL氮化硅层，多个堆叠的氧化介质层和牺牲介质层，SSL氮化硅层，以及保护氧化层；刻蚀形成暴露出衬底的圆柱型沟道，并在沟道露出的衬底表面形成单晶硅外延层；在沟道内依次形成阻挡氧化层、电子俘获层、隧穿氧化层、多晶硅和多晶硅隔离介质层；刻蚀形成暴露出衬底的源极沟槽，并形成公共源极；湿法刻蚀去除氮化硅层，露出单晶硅外延层的侧面；在所述单晶硅外延层的侧面形成GSL栅极氧化层；在所述源极沟槽的侧壁和氧化介质层内壁形成栅极层。该方法提高了GSL栅极氧化层的厚度，并避免对其损害，提高了GSL的可靠性。

主权项

一种3D NAND源极选择管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在衬底上依次形成第一栅极氧化层，源极选择管氮化硅层，多个堆叠的氧化介质层和牺牲介质层，漏极选择管氮化硅层，以及保护氧化层，其中，所述牺牲介质层形成于相邻的氧化介质层之间；刻蚀形成暴露出衬底的圆柱型沟道，并在圆柱型沟道露出的衬底表面形成单晶硅外延层；在圆柱型沟道内依次形成阻挡氧化层、电子俘获层、隧穿氧化层、多晶硅和多晶硅隔离介质层，其中，所述多晶硅隔离介质层形成于所述多晶硅的内部；刻蚀形成暴露出衬底的源极沟槽，并形成公共源极；湿法刻蚀去除氮化硅层，露出单晶硅外延层的侧面；在所述单晶硅外延层的侧面形成源极选择管的第二栅极氧化层；在所述源极沟槽的侧壁和氧化介质层内壁形成栅极层。