[发明专利]倒装LED芯片结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种倒装LED芯片结构，采用双面图形化衬底，所述双面图形化衬底两个相对的表面上设置具有聚光作用的微透镜阵列，从而在不影响LED外延层晶体质量的前提下，提高倒装LED芯片的发光亮度和轴向发光亮度。本发明提供一种倒装LED芯片结构制作方法，在衬底的第一表面上制作出阵列排布的第一微透镜结构，后续再结合衬底第一表面上阵列排布的第一微透镜结构的特点，通过LED芯片自身发光实现光刻自对准工艺，在无需掩膜板和对位的前提下实现衬底第二表面掩膜层的制作，最后再通过刻蚀工艺实现衬底第二表面的图形化，以在衬底第二表面上形成阵列排布的第二微透镜结构，完成具有双面图形化衬底的倒装LED芯片制作。

主权项

一种倒装LED芯片结构，其特征在于，包括：具有相对的第一表面和第二表面的衬底，形成于所述衬底的第一表面上阵列排布的第一微透镜结构，形成于所述衬底的第二表面上阵列排布的第二微透镜结构，所述第一微透镜结构和第二微透镜结构关于所述衬底对称分布；形成于所述第一表面上的外延层，所述外延层包括依次形成的N型外延层、有源层和P型外延层；形成于所述外延层中并暴露所述N型外延层的凹槽；形成于所述凹槽的侧壁上的侧壁保护层；形成于所述P型外延层上的P电极，形成于所述凹槽中的N电极；倒装LED基板，包括多个间隔分布的第一基板和第二基板以及用于绝缘隔离所述第一基板和第二基板的绝缘隔离板，第一基板均与正极引线电连接，第二基板均与一负极引线电连接，所述第一基板对应于所述P电极，所述第二基板对应于所述N电极，所述绝缘隔离板插入所述P电极与N电极之间的缝隙。