[发明专利]一种多晶硅生产过程中尾气杂质过滤的方法在审
申请号: | 201410856902.5 | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN104524904A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 石程亮;姜海明;李辉 | 申请(专利权)人: | 内蒙古神舟硅业有限责任公司 |
主分类号: | B01D47/06 | 分类号: | B01D47/06;B01D47/05;B01D61/00;B01D36/00 |
代理公司: | 呼和浩特北方科力专利代理有限公司 15100 | 代理人: | 王社 |
地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶硅生产过程中尾气杂质过滤的方法,通过深冷工艺优化调整主要是以鼓泡喷淋形式将低温液态氯硅烷与塔底部从下而上混合后的尾气、安全泄放气进行逆向接触,将尾气中的氯硅烷物料液化回收,未被冷凝的不凝气体从鼓泡喷淋塔顶部出来进入下游工序处理。膜分离技术应用主要是通过膜分离器内置滤芯的过滤,清液通过滤芯从膜分离器的顶部出口出来进入下游精馏工序,大于1μm的固体颗粒被所述滤芯过滤下来。本方法具有结构简单、性能稳定、杂质过滤去除表现良好等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 生产过程 尾气 杂质 过滤 方法 | ||
【主权项】:
一种多晶硅生产过程中尾气杂质过滤的的方法,通过深冷工艺优化调整和膜分离技术应用,对尾气杂质过滤去除,确保后续工序及动设备等稳定运行,其特征是:多晶硅生产过程中排放的尾气、安全泄放气混合后进入鼓泡喷淋塔底部,在塔内温度为≤‑40‑‑33℃、压力为50‑80KPaG的环境下,从顶部喷淋而下的低温液态氯硅烷与塔底部从下而上混合后的尾气、安全泄放气进行逆向接触,将尾气中的氯硅烷物料液化回收,未被冷凝的不凝气体(H2、氮气等)从鼓泡喷淋塔顶部出来进入下游工序处理,塔底液态氯硅烷通过回流泵分两路输送,一路送至氟利昂冷却器冷却后再供鼓泡喷淋塔喷淋吸收尾气;另一路由输送泵进入下游的膜分离器,通过膜分离器内置滤芯的过滤,清液通过滤芯从膜分离器的顶部出口出来进入下游精馏工序,大于1μm的固体颗粒被所述滤芯过滤下来,当膜分离器进出口压力差大于100KPaG的规定工艺参数值时,停止膜过滤操作进行反冲洗,首先将沉积在膜分离器底端的固体颗粒通过底部出口排至残液处理塔用碱液进行处理,然后使用氮气或者清液从膜分离上部物料口进入膜分离器,将附着在膜分离器壁上的固体颗粒冲洗干净,反冲洗液进入残液储槽,反冲洗合格后再进行冷凝液的过滤操作。
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