[发明专利]氮化硅膜的沉积方法

摘要

本文描述了形成氮化硅膜的方法。在一个方面，提供了一种形成氮化硅膜的方法，所述方法包括下述步骤：在反应器内提供衬底；向所述反应器内引入至少一种本文描述的具有至少一个SiH₃基团的有机氨基硅烷，其中该至少一种有机氨基硅烷在衬底的至少一部分表面上反应以提供化学吸附层；使用吹扫气体吹扫所述反应器；向所述反应器内引入包含氮和惰性气体的等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点，其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm²范围的功率密度生成。

主权项

1.在衬底的至少一个表面上形成氮化硅膜的方法，该方法包括：a.向反应器内提供衬底；b.向所述反应器内引入至少一种由下式Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ表示的有机氨基硅烷：其中(i)R1选自直链或支链C3‑C10烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C1‑C6二烷基氨基、吸电子基团和C6‑C10芳基；R2选自氢、直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C3‑C6烯基、直链或支链C3‑C6炔基、C1‑C6二烷基氨基、C6‑C10芳基、直链或支链C1‑C6氟化烷基、吸电子基团和C4‑C10芳基；任选地，其中R1和R2连接在一起形成选自取代或非取代的芳族环或取代或非取代脂族环的环，以及(ii)在式Ⅲ中，n＝1或2，其中所述至少一种有机氨基硅烷在所述衬底的至少一部分表面上反应以提供化学吸附层；c.使用吹扫气体吹扫所述反应器；d.向所述反应器内引入氩和氮等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点，其中所述等离子体以0.01至1.5W/cm2范围的功率密度生成；和e.任选地，采用惰性气体吹扫所述反应器；和其中重复步骤b至e直到获得期望的氮化硅膜厚度；其中包含氢的等离子体任选地在步骤d之前插入以帮助移除由所述有机氨基硅烷与所述表面之间的反应产生的烃。