[发明专利]互补隧道FET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410858223.1 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752496B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | A·阿列克索夫 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L51/05 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种使用氧化物和/或有机半导体材料形成的互补隧道场效应晶体管(TFET)装置。一种类型的TFET包括：衬底；在所述衬底上形成的第一掺杂区域，其含有选自元素周期表的III‑V族、IV‑IV族和IV族的p型材料；在所述衬底上形成的第二掺杂区域，其含有透明氧化物n型半导体材料；以及耦合到所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的栅极叠层。另一类型的TFET包括：衬底；在所述衬底上形成的第一掺杂区域，其含有p型有机半导体材料；在所述衬底上形成的第二掺杂区域，其含有n型氧化物半导体材料；以及耦合到掺杂的源极区域和漏极区域的栅极叠层。在另一个实例中，TFET通过仅使用有机半导体材料用于有源区域制成。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区域 衬底 有机半导体材料 栅极叠层 耦合到 隧道场效应晶体管 氧化物半导体材料 透明氧化物 元素周期表 漏极区域 源极区域 掺杂的 源区域 氧化物 隧道 制造 | ||
【主权项】：
1.隧道场效应晶体管(TFET)，包括：衬底；在所述衬底上设置的第一掺杂区域，其含有选自由元素周期表的III‑V族、IV‑IV族和IV族构成的组中的p型材料，其中所述第一掺杂区域是源极区域；在所述衬底上设置的第二掺杂区域，其含有透明的或半透明的氧化物n型半导体材料，其中所述第二掺杂区域是漏极区域；以及耦合到所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的栅极叠层，其中所述p型材料的价带能量高于所述透明的或半透明的氧化物n型半导体材料的导带能量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410858223.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MOS管及其形成方法
- 下一篇：功率用半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
