[发明专利]间隙填充方法在审
| 申请号： | 201410858450.4 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105304550A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 沈载桓;朴琎洪;林载峰;赵廷奎;徐承柏;朴钟根;李明琦;P·D·胡斯塔德 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
间隙填充方法。提供了一种间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，该半导体衬底具有在所述衬底的表面上的浮雕图像，该浮雕图像包括多个待填充间隙；(b)将间隙填充组合物涂覆到该浮雕图像上，其中该间隙填充组合物包含未交联的可交联聚合物、酸催化剂、交联剂和溶剂，其中所述可交联聚合物包括以下通式(I)的第一单元以及以下通式(II)的第二单元；(c)加热该间隙填充组合物到使聚合物交联的温度。 |
||
| 搜索关键词： | 间隙 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，该半导体衬底具有在所述衬底的表面上的浮雕图像，该浮雕图像包括多个待填充间隙；(b)将间隙填充组合物涂覆到该浮雕图像上，其中该间隙填充组合物包含未交联的可交联聚合物、酸催化剂、交联剂和溶剂，其中所述可交联聚合物包括以下通式(I)的第一单元：1 选自氢、氟、C1 -C3 烷基和C1 -C3 氟烷基；以及Ar1 是不含可交联基团的任选取代的芳基；以及以下通式(II)的第二单元：3 选自氢、氟、C1 -C3 烷基和C1 -C3 氟烷基；且R4 选自任选取代的C1 -C12 线性、支链或环状烷基，以及任选取代的C6 -C15 芳基，任选含有杂原子，其中至少一个氢原子被由独立地选自羟基、羧基、硫醇、胺、酰胺和乙烯基的官能团取代；以及(c)加热该间隙填充组合物到使聚合物交联的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司，未经罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410858450.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于形成嵌入式锗硅的方法
- 下一篇：一种2英寸芯片光刻胶剥离用花篮
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
