[实用新型]晶圆级芯片TSV封装结构有效
| 申请号： | 201420006299.7 | 申请日： | 2014-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN203787413U | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王晔晔;范俊;沈建树;张春艳;黄小花;戴青;陆明;廖建亚;朱琳;张良 | 申请（专利权）人： | 昆山西钛微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶圆级芯片的TSV封装结构，包括若干个芯片单元，每个芯片单元包括硅层，所述硅层上形成有若干个TSV深孔，每个TSV深孔的底部下方形成有金属焊垫，且所述TSV深孔的最大直径小于所述金属焊垫的最小边长，所述硅层、所述TSV深孔的底部和侧壁上都覆盖有一层绝缘层，所述TSV深孔的底部上覆盖的绝缘层上开设有一个窗口，所述绝缘层和所述窗口上覆盖形成一金属层，所述金属层腐蚀形成设计的金属线路，所述金属焊垫通过所述金属线路与外界进行电性联通。本实用新型能够减少成本，提高TSV深孔部位金属的覆盖性，从而提高高深宽比TSV深孔的封装良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 tsv 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种晶圆级芯片的TSV封装结构，包括若干个芯片单元(1)，每个芯片单元包括硅层(10)，所述硅层上形成有若干个TSV深孔(2)，每个TSV深孔的底部下方形成有金属焊垫(3)，且所述TSV深孔的最大直径小于所述金属焊垫的最小边长，所述硅层、所述TSV深孔的底部和侧壁上都覆盖有一层绝缘层(4)，其特征在于：所述TSV深孔的底部上覆盖的绝缘层上开设有一个窗口(5)，所述绝缘层和所述窗口上覆盖形成一金属层，所述金属层腐蚀形成设计的金属线路(8)，所述金属焊垫通过所述金属线路与外界进行电性联通。
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