[实用新型]具有低漏电高发光效率的外延生长结构

摘要

本实用新型涉及一种外延生长结构，尤其是一种具有低漏电高发光效率的外延生长结构，属于半导体外延生长的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述具有低漏电高发光效率的外延生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构；所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层，所述有源层上生长有电子溢出阻挡层，所述电子溢出阻挡层上生长有P型化合物半导体材料层。本实用新型结构紧凑，发光效率高，低漏电且具有更强的抗击大电流能力，进一步降低了成本，更适合大尺寸外延片的生长，工艺方便，安全可靠。

主权项

一种具有低漏电高发光效率的外延生长结构，包括衬底（1）及生长于所述衬底（1）上的半导体发光结构；其特征是：所述半导体发光结构包括生长于衬底（1）上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层（6），所述N型化合物半导体材料层（6）上生长有有源层（7），所述有源层（7）上生长有电子溢出阻挡层（8），所述电子溢出阻挡层（8）上生长有P型化合物半导体材料层（9）；所述缓冲层包括第一缓冲层（2）、第二缓冲层（3）、第三缓冲层（4）及第四缓冲层（5）；第一缓冲层（2）、第二缓冲层（3）、第三缓冲层（4）及第四缓冲层（5）的厚度均为5~50nm；所述第一缓冲层（2）为AlN层，第二缓冲层（3）为GaN层，第三缓冲层（4）为AlGaN层，第四缓冲层（5）为GaN层；所述N型化合物半导体材料层（6）为N型GaN层；所述P型化合物半导体材料层（9）为P型GaN层。