[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201420013401.6 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN203774333U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 伊藤明 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件。该半导体器件包括注入在半导体基板中的第一阱和第二阱。所述半导体器件还包括在第一阱和第二阱之上介于凸起源极结构与凸起漏极结构之间的栅极结构。凸起源极结构位于第一阱上且与第一阱接触并且通过第一半导体鳍状结构与栅极结构连接。凸起漏极结构位于第二阱上且与第二阱接触并且与第二半导体鳍状结构连接。第二半导体鳍状结构至少包括间隙和轻掺杂部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一阱，注入在半导体基板中；第二阱，注入在所述半导体基板中；栅极结构，在所述第一阱和所述第二阱上；凸起源极结构，在所述第一阱上且与所述第一阱接触，并且通过第一半导体鳍状结构与所述栅极结构连接；以及凸起漏极结构，在所述第二阱上且与所述第二阱接触，并且与第二半导体鳍状结构连接，其中，所述第二半导体鳍状结构包括将所述栅极结构与所述凸起漏极结构分开的间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国博通公司，未经美国博通公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420013401.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
