[实用新型]一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置有效
申请号: | 201420028370.1 | 申请日: | 2014-01-17 |
公开(公告)号: | CN203768484U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 杨建荣;魏彦锋;孙瑞贇;孙权志 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | C30B19/10 | 分类号: | C30B19/10;C30B29/48 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置。通过在生长腔体和坩埚之间增加温度检测点,对坩埚内母液温度的变化趋势进行提前预测,并通过对控温点温度参数的调整,实现外延温度的精确控制。该装置及方法能有效防止生长系统内管壁汞珠分布的变化和非稳定的汞回流效应对外延工艺中外延温度变化过程的干扰,有效提高浸渍式碲镉汞液相外延工艺的可重复性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 浸渍 式碲镉汞液相 外延 温度 控制 装置 | ||
【主权项】:
一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置,在液相外延系统的生长腔体的内部上下各有一根测温用的石英管套管,一根是从升降坩埚(5)和样品架(12)的拉杆(14)中间插入样品架内部的顶部石英套管(15),通过移动第三热电偶(4)或放置多根热电偶,监测样品架(12)和母液(10)内部的温度,另一根是从石英管生长腔体(13)底部插入到坩埚(5)底部的底部石英套管(8),放置第四热电偶(16),用于监测坩埚(5)的底部温度,其特征在于:在液相外延系统的底部石英套管(8)上引出分支,即在插热电偶的底部石英套管(8)的侧壁接出一段石英管,石英管穿过石墨底座(9)延伸到坩埚(5)的外侧,利用热电偶可弯曲的特性将热电偶插入到坩埚(5)外侧的位置,在坩埚(5)的外侧设置一温度测量点。
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