[实用新型]一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置有效

专利信息
申请号: 201420028370.1 申请日: 2014-01-17
公开(公告)号: CN203768484U 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 杨建荣;魏彦锋;孙瑞贇;孙权志 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: C30B19/10 分类号: C30B19/10;C30B29/48
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置。通过在生长腔体和坩埚之间增加温度检测点,对坩埚内母液温度的变化趋势进行提前预测,并通过对控温点温度参数的调整,实现外延温度的精确控制。该装置及方法能有效防止生长系统内管壁汞珠分布的变化和非稳定的汞回流效应对外延工艺中外延温度变化过程的干扰,有效提高浸渍式碲镉汞液相外延工艺的可重复性。
搜索关键词: 一种 用于 浸渍 式碲镉汞液相 外延 温度 控制 装置
【主权项】:
一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置,在液相外延系统的生长腔体的内部上下各有一根测温用的石英管套管,一根是从升降坩埚(5)和样品架(12)的拉杆(14)中间插入样品架内部的顶部石英套管(15),通过移动第三热电偶(4)或放置多根热电偶,监测样品架(12)和母液(10)内部的温度,另一根是从石英管生长腔体(13)底部插入到坩埚(5)底部的底部石英套管(8),放置第四热电偶(16),用于监测坩埚(5)的底部温度,其特征在于:在液相外延系统的底部石英套管(8)上引出分支,即在插热电偶的底部石英套管(8)的侧壁接出一段石英管,石英管穿过石墨底座(9)延伸到坩埚(5)的外侧,利用热电偶可弯曲的特性将热电偶插入到坩埚(5)外侧的位置,在坩埚(5)的外侧设置一温度测量点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420028370.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top