[实用新型]一种IGBT芯片结构有效
| 申请号： | 201420045503.6 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN203746860U | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 红梅 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 314006 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种IGBT芯片结构，它主要包括栅极焊盘、发射极焊盘、栅极总线，其特征在于所述IGBT芯片的版图布局呈为中心对称结构，所述栅极焊盘设置于IGBT芯片的正面中央；栅极总线设置在芯片横向中心、纵向中心并且在芯片横向中心、纵向中心处连接栅极焊盘；栅极总线设置在芯片外围形成环状，并且在芯片横向中心和纵向中心处连接栅极焊盘引出来的栅极总线；所述发射极设置在栅极总线和栅极焊盘围绕的区域内，并对称的开出四个发射极焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种IGBT芯片结构，它主要包括栅极焊盘、发射极焊盘、栅极总线，其特征在于所述IGBT芯片的版图布局呈为中心对称结构，所述栅极焊盘设置于IGBT芯片的正面中央；栅极总线设置在芯片横向中心、纵向中心并且在芯片横向中心、纵向中心处连接栅极焊盘；栅极总线设置在芯片外围形成环状，并且在芯片横向中心和纵向中心处连接栅极焊盘引出来的栅极总线；所述发射极设置在栅极总线和栅极焊盘围绕的区域内，并对称的开出四个发射极焊盘。
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