[实用新型]双极栅低电压功率器件用外延片有效
| 申请号： | 201420047837.7 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN203746859U | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 邹崇生 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双极栅低电压功率器件用外延片，所述双极栅低电压功率器件用外延片的材质为硅，所述双极栅低电压功率器件用外延片为层状结构，自下至上依次为基板、第一外延层和第二外延层。该双极栅低电压功率器件用外延片成功的克服了基板的自掺杂效应导致外延层的电阻率均匀性变差以及基板-外延过渡区变宽的缺陷，实现了外延层和衬底的低能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 双极栅低 电压 功率 器件 外延 | ||
【主权项】：
一种双极栅低电压功率器件用外延片，其特征在于，所述双极栅低电压功率器件用外延片的材质为硅，所述双极栅低电压功率器件用外延片为层状结构，自下至上依次为基板（3）、第一外延层（1）和第二外延层（2）。
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