[实用新型]一种外延生长时gap值的测量装置有效
| 申请号： | 201420051372.2 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN203733765U | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 董治辉;陈焱;苏晓华 | 申请（专利权）人： | 西安神光安瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/20 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 倪金荣 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种外延生长时gap值的测量装置，包括架体，架体上设有千分计，所述千分计有n个，n个千分计按圆周均匀设置；n为大于或等于3的正整数。本实用新型提供的一种外延生长时gap值的测量装置，可有效的快速检测并调整因基座盘的变形导致的工艺不稳定因素，能有效的减少设备维护时间，提高机台的运行时间，最终有效的控制生长成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 gap 测量 装置 | ||
【主权项】：
一种外延生长时gap值的测量装置，包括架体，其特征在于：所述架体上设有千分计，所述千分计有n个，n个千分计按圆周均匀设置；n为大于或等于3的正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
