[实用新型]一种高电压产生装置

摘要

本实用新型公开了一种高电压产生装置，包括MC34063A集成电路芯片器件，MC34063A集成电路芯片器件的第6引脚与电源插头连接，MC34063A集成电路芯片器件的第7、8引脚与电感器、第一二极管和互感器依次连接；第一二极管的阳极与场效应管的漏极连接，场效应管的源极与MC34063A集成电路芯片器件的第3引脚连接，场效应管的源极还与三极管的源极、第二电阻连接，场效应管的栅极与第二二极管和三极管的漏极分别连接，第二二极管和三极管的栅极与MC34063A集成电路芯片器件的第2引脚连接，第二二极管和三极管的栅极的还与第二电阻连接。该高电压产生装置一种体积小、成本低，且调试方便。

主权项

一种高电压产生装置，其特征在于，包括MC34063A集成电路芯片器件(U1)，所述MC34063A集成电路芯片器件(U1)的第6引脚与用于低电压输入的电源插头(J1)连接，所述MC34063A集成电路芯片器件(U1)与电器(J1)连接于A结点，所述A结点还与第一极性电容(C1)和第二电容(C2)连接，所述第一极性电容(C1)的另一端与第二电容(C2)的另一端通过结点D连接，所述结点D接地； 所述A结点还与第一电阻(R1)的一端连接，所述第一电阻(R1)的另一端通过结点E与MC34063A集成电路芯片器件(U1)的第7、8引脚连接，所述结点E还与MC34063A集成电路芯片器件(U1)的第1引脚连接，所述结点E还与用于电压输出的电感器(L1)的一端连接，所述电感器(L1)的另一端通过结点B与第一二极管(D1)的阳极连接，所述第一二极管(D1)的阴极通过结点C与互感器(P1)的第1引脚连接，所述互感器(P1)的第2引脚接地； 所述结点B还与场效应管(Q2)的漏极端连接，所述场效应管(Q2)的栅极端通过结点F与第二二极管(D2)的阴极端连接，所述第二二极管(D2)的阳极端通过结点G与MC34063A集成电路芯片器件(U1)的第2引脚连接，所述结点G还与三极管(Q1)的栅极连接，所述三极管(Q1)的漏极端与结点F连接，所述三极管(Q1)的源极通过结点H与电容(C3)的一端连接，所述电容(C3)的另一端与MC34063A集成电路芯片器件(U1)的第3引脚连接，所述结点H接地； 所述结点H还与第二电阻(R2)的一端连接，所述第二电阻(R2)的另一端与结点G连接；所述结点H还与场效应管(Q2)的源极极连接；所 述结点H还与第五电阻(R5)的一端连接，所述第五电阻(R5)的另一端与第四电阻(R4)的一端连接，所述第四电阻(R4)的滑动端与MC34063A集成电路芯片器件(U1)的第5引脚连接，所述第四电阻(R4)的第三端与第三电阻(R3)的一端连接，所述第三电阻(R3)的另一端与结点C连接；所述结点C还连接第四电容(C4)的一端，所述第四电容(C4)的另一端接地；所述MC34063A集成电路芯片器件(U1)的第4引脚接地。