[实用新型]应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路有效
| 申请号： | 201420060214.3 | 申请日： | 2014-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN203798736U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 武晓东;陈忠祥;王策;马玉婷;裴智果;钟金凤;严心涛;吴云良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;H01L31/107 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹毅 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，包括控制信号单元、控制信号调理单元、无温漂放大单元、输出缓冲单元和反馈单元，控制信号经过控制信号调理单元进行信号调理，然后经过无温漂放大单元放大得到所需要的偏置电压值，再经过输出缓冲单元以及反馈单元控制输出的稳定性。本实用新型采用元器件之间的温度漂移系数相互耦合的办法，消除了以往高压偏置电路的电压随温度漂移的问题，具有高温度稳定性的高压输出，输出不随信号增大而下降等优点，满足APD工作时的高压偏置需求。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 微弱 荧光 测量 雪崩 二极管 apd 高压 偏置 电路 | ||
【主权项】：
在应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，包括控制信号单元（1），控制信号调理单元（2）、输出缓冲单元（4）和反馈单元（5），其特征在于，还包括无温漂放大单元（3），其中：所述无温漂放大单元（3）主要包括两个互补的PNP型三极管（31）和第一NPN型三极管（33），其中所述PNP型三极管（31）的发射极连接所述第一NPN型三极管（33）的基极。
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