[实用新型]免封装型UVLED芯片有效
| 申请号： | 201420070231.5 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN203826419U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 黄慧诗;郭文平;柯志杰;邓群雄 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种免封装型UVLED芯片，包括衬底，在衬底的正面依次设置N-GaN层、发光层、P-GaN层和反射层；其特征是：在所述反射层、P-GaN层和发光层中设置通孔，通孔由反射层延伸至发光层的底部，通孔与N-GaN层连通；在所述通孔中和反射层的表面设置N共晶电极，在反射层表面设置P共晶电极。所述N共晶电极与P共晶电极的上表面平齐。本实用新型所述免封装型UVLED芯片热阻小、散热好，可以采用免封装技术，减少共晶封装的内应力。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 uvled 芯片 | ||
【主权项】：
一种免封装型UVLED芯片，包括衬底（7），在衬底（7）的正面依次设置N‑GaN层（6）、发光层（5）、P‑GaN层（4）和反射层（3）；其特征是：在所述反射层（3）、P‑GaN层（4）和发光层（5）中设置通孔（8），通孔（8）由反射层（3）延伸至发光层（5）的底部，通孔（8）与N‑GaN层（6）连通；在所述通孔（8）中和反射层（3）的表面设置N共晶电极（2），在反射层（3）表面设置P共晶电极（1）。
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