[实用新型]一种用于检测半导体制程状态的检测结构有效
| 申请号： | 201420072327.5 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN203787418U | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 文智慧;李日鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种用于检测半导体制程状态的检测结构，所述用于检测半导体制程状态的检测结构至少包括：分别制备于N阱和P阱上的N型掺杂区域和P型掺杂区域，所述N型掺杂区域和所述P型掺杂区域位于切割道；所述N型掺杂区域和所述P型掺杂区域上分布有监测区域和对照区域，所述监测区域和所述对照区域为上连金属层结构，所述上连金属层结构包括层叠的多个金属层和多个通孔层，所述监测区域的上连金属层结构连接到有源区，所述对照区域的上连金属层结构不连接到有源区。本实用新型提供的用于检测半导体制程状态的检测结构简单，对光敏感区域的制程状态监控及时、快速且高效，同时能适用于较小线宽的制程工艺，如65nm/48nm/28nm/20nm工艺等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 半导体 状态 结构 | ||
【主权项】：
一种用于检测半导体制程状态的检测结构，其特征在于，所述检测结构至少包括：分别制备于N阱和P阱上的N型掺杂区域和P型掺杂区域；所述N型掺杂区域和所述P型掺杂区域上均分布有监测区域和对照区域，所述监测区域和所述对照区域为上连金属层结构，所述上连金属层结构包括层叠的多个金属层和多个通孔层，所述监测区域的上连金属层结构与相应的N型掺杂区域或P型掺杂区域连接，所述对照区域的上连金属层结构与相应的N型掺杂区域或P型掺杂区域隔离。
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