[实用新型]一种具有改进型封装结构的半导体器件

摘要

本实用新型公开了一种具有改进型封装结构的半导体器件，所述半导体器件包括半导体芯片、引线框架和封装树脂。半导体芯片位于引线框架的载片基岛区，所述引线框架包括引脚区，其中第二引脚区上端连有第二键合区。半导体芯片与第二键合区之间通过金属引线电学相连。所述第二键合区相对于现有技术面积更大，从而确保低芯片在封装时，受金属引线限制的最大熔断电流可以有效提升，器件的导通电阻下降，从而最大限度的发挥芯片实际电流能力。本实用新型适用于MOSFET器件与IGBT器件。

主权项

一种具有改进型封装结构的半导体器件，其特征在于：包括半导体芯片、引线框架和封装树脂；所述半导体芯片具有相对应的第一主面与第二主面，所述半导体芯片的三个电极分别为第一极、第二极和第三极；所述第一主面上设置有半导体芯片的第一极与第二极，所述第二主面上设置有半导体芯片的第三极；所述引线框架包括上部的框架本体区、中间的载片基岛区和下部的引脚区；所述引脚区包含三个并列排布且互不相连的第一引脚、第二引脚、第三引脚，所述第二引脚位于第一引脚和第三引脚中间；所述第一引脚顶端设置有第一键合区，第二引脚顶端设置有第二键合区，所述第二键合区的面积大于第一键合区的面积；所述框架本体区与载片基岛区相连接，所述载片基岛区与引脚区的第三引脚相连接；所述半导体芯片的第二主面粘附贴装在载片基岛区表面；所述半导体芯片第一主面上的第一极与第一键合区之间通过金属引线电学相连，所述半导体芯片第一主面上的第二极与第二键合区之间通过金属引线电学相连；所述第二主面上的第三极与载片基岛区和第三引脚电学相连；所述封装树脂包裹半导体芯片、第一键合区、第二键合区、第三引脚顶端以及金属引线；对于MOSFET半导体芯片，所述半导体芯片的第一极为MOSFET芯片的栅极；所述半导体芯片的第二极为MOSFET芯片的源极；所述半导体芯片的第三极为MOSFET芯片的漏极；对于IGBT半导体芯片，所述半导体芯片的第一极为IGBT芯片的栅极；所述半导体芯片的第二极为IGBT芯片的发射极；所述半导体芯片的第三极为IGBT芯片的集电极。