[实用新型]一种高频抗干扰的MOS管负压驱动电路有效
| 申请号： | 201420102475.7 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN203722596U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 邹坤;唐余武 | 申请（专利权）人： | 无锡研奥电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市锡山经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高频抗干扰的MOS管负压驱动电路，包括稳压电路、负压电路、保护电路和MOS管Q，所述的稳压电路由稳压二极管D1和限流电阻R1组成；所述的负压电路由二极管D2、稳压管D3、三极管T1、电容C1以及栅极输入电阻R2组成；所述的保护电路由二极管D4、保护电阻R3和滤波电容C2组成。该驱动电路结构简单、成本低廉，能在驱动电压结束时产生负压快速关断MOS管，适用于高频以及电路抗干扰性要求较高的场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 抗干扰 mos 管负压 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种高频抗干扰的MOS管负压驱动电路，其特征在于，包括稳压电路、负压电路、保护电路和MOS管Q，所述的稳压电路由稳压二极管D1和限流电阻R1组成，所述稳压二极管D1的负极与驱动电压Vg相连，所述限流电阻R1接在D1正极与所述MOS管Q源极的两端；所述的负压电路由二极管D2、稳压管D3、三极管T1、电容C1以及栅极输入电阻R2组成，所述的二极管D2的正极与驱动电压Vg相连，二极管D2的负极同时与所述电容C1的正极和所述稳压管D3的负极相连，所述稳压管D3的正极与电容C1的负极相连，所述PNP型三极管T1的基极与二极管D2的正极相连，三极管T1的集电极与电容C1的正极相连，三极管T1的发射极与所述MOS管Q的源极相连；所述的栅极输入电阻R2接在电容C1负极与MOS管Q栅极的两端。
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