[实用新型]半导体互连结构有效
| 申请号： | 201420103370.3 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN203774289U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体互连结构，所述半导体互连结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的铝互连线；位于所述半导体基底上的绝缘层，所述绝缘层包围所述铝互连线，并且部分绝缘层伸入所述铝互连线中；以及位于所述铝互连线上的焊盘。在此，通过部分绝缘层伸入铝互连线中，使得该部分绝缘层对铝互连线提供一定的支撑，从而提高铝互连线的硬度，降低了在形成焊盘的过程中铝互连线的损失，提高了后续工艺的可靠性以及后续所形成的半导体电路的质量及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体互连结构，其特征在于，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的铝互连线；位于所述半导体基底上的绝缘层，所述绝缘层包围所述铝互连线，并且部分绝缘层伸入所述铝互连线中；以及位于所述铝互连线上的焊盘。
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