[实用新型]金属互连结构有效
| 申请号： | 201420103780.8 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN203895443U | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种金属互连结构，所述金属互连结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的铜互连线；位于所述铜互连线上的连接层，所述连接层含碳、硼和铝；以及位于所述连接层上的低K介质层。在此，通过连接层连接铜互连线和低K介质层，利用含碳、硼和铝的连接层的耐腐蚀性、抗热性、抗氧化性，以及与铜互连线和低K介质层都能很好粘合的性能，提高了低K介质层与铜互连线之间的连接可靠性，从而提高了生产良率、降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构，其特征在于，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的绝缘层；位于所述绝缘层中的铜互连线；位于所述铜互连线上的连接层，所述连接层为碳硼化铝层；以及位于所述连接层上的低K介质层。
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