[实用新型]一种芯片保护结构有效
| 申请号： | 201420107333.X | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN203733789U | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张贺丰;侯大维 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种芯片保护结构，所述芯片保护结构至少包括：具有至少两层金属层的堆叠结构，相邻的金属层之间通过通孔金属连接；所述堆叠结构中靠近划片槽一侧的金属层边缘形成斜面；所述斜面与所述金属层所在平面的夹角为θ，其中45°＜θ＜90°。本实用新型铜的芯片保护结构通过将靠近划片槽一侧的金属层边缘形成的斜面与所述金属层所在平面的夹角设置成45°＜θ＜90°的锐角，从而将外部应力的方向从到芯片内部引导到芯片的侧面，避免芯片内部发生分层，提高芯片制造的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片保护结构，形成在芯片的外围，处于芯片和划片槽之间，其特征在于，所述芯片保护结构至少包括：具有至少两层金属层的堆叠结构，相邻的金属层之间通过通孔金属连接；所述堆叠结构中靠近划片槽一侧的金属层边缘形成斜面；所述斜面与所述金属层所在平面的夹角为θ，其中，45°＜θ＜90°。
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