[实用新型]一种片上功率合成器有效
| 申请号： | 201420109891.X | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN203774434U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 冯卫锋;章国豪;周磊;唐鹏;孙亚楠;曾斌 | 申请（专利权）人： | 豪芯微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01P5/12 | 分类号： | H01P5/12 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及射频无源器件领域，公开了一种片上功率合成器。本实用新型包含：N个叠层型变压器；其中，N为大于或者等于2的自然数；N个叠层型变压器次圈依次串联；其中，每一个叠层型变压器的主圈与次圈的电感结构相同，且形状均为圆形；主圈与次圈位于非相邻金属层；每个主圈的两端为片上功率合成器的一对输入端口，用于接收一对输入信号，并将接收的信号输出至次圈；N个叠层型变压器的次圈将接收到的信号以串联的形式将能量合成后通过片上功率合成器的输出端口Pout输出。由于圆形结构的主圈与次圈减小了其寄生电阻，而且，主圈与次圈位于非相邻金属层，减小了主次圈之间的寄生耦合电容，从而提高了片上功率合成器的合成效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 合成器 | ||
【主权项】：
一种片上功率合成器，其特征在于，包含：N个叠层型变压器；其中，N为大于或者等于2的自然数；所述N个叠层型变压器次圈依次串联；其中，每一个所述叠层型变压器的主圈与次圈的电感结构相同，且形状均为圆形；所述主圈与所述次圈位于非相邻金属层；每个所述主圈的两端为所述片上功率合成器的一对输入端口，用于接收一对输入信号，并将接收的信号输出至所述次圈；所述N个叠层型变压器的次圈将接收到的信号以串联的形式将能量合成后通过所述片上功率合成器的输出端口Pout输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪芯微电子科技（上海）有限公司，未经豪芯微电子科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420109891.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：软件缺陷检测方法及装置
- 下一篇：SFMEA与SFTA逆向综合分析辅助方法
