[实用新型]一种用于半导体共晶工艺封装的背锡芯片有效
| 申请号： | 201420112941.X | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN203774295U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈林;朱仕镇;韩壮勇;郑天凤;朱文锋;任书克;刘志华;曹丙平;王鹏飞;周贝贝;张团结;朱海涛;吕小奖 | 申请（专利权）人： | 深圳市三联盛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种用于半导体共晶工艺封装的背锡芯片，其以锡来代替芯片背面贵金属金，从而达到降低成本的目的。本实用新型的一种用于半导体共晶工艺封装的背锡芯片，其包括封装胶体、若干芯片以及引线框架，所述引线框架上设有芯片座以及引脚，芯片设于芯片座上，芯片与引脚通过导线电连接，所述芯片由所述封装胶体封装；其中，所述芯片与芯片座接触的一面设有锡接触层。本实用新型采用锡接触层代替原来的金接触层，不仅降低了芯片的价格，也使得芯片的装贴温度大大降低，实现了低温共晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 工艺 封装 芯片 | ||
【主权项】：
一种用于半导体共晶工艺封装的背锡芯片，其特征在于：包括封装胶体、若干芯片以及引线框架，所述引线框架上设有芯片座以及引脚，芯片设于芯片座上，芯片与引脚通过导线电连接，所述芯片由所述封装胶体封装；其中，所述芯片与芯片座接触的一面设有锡接触层。
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