[实用新型]金属-氧化物-半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201420125819.6 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN203910810U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;文燕;石金成;王焜;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，包括轻掺杂的体区和至少一个第一单元；第一单元包括：孔条状源区，其形成于体区内；孔条状源区是在条形源区上沿导电沟道宽度方向开有多个间隔分布的孔的源区；条状漏区，其形成于体区内且分布于孔条状源区的两侧；第一扩散区，其形成于孔条状源区的每个孔内；相邻两个第一扩散区与位于这两个第一扩散区之间的孔条状源区的部分短接且所有第一扩散区并联；氧化物层，其覆盖于体区，孔条状源区，第一扩散区和漏区之上；栅，其形成于孔条状源区和漏区之间的氧化物层上。本实用新型的孔条状源区和体区之间的电压差比较小，衬底偏置比较小，雪崩耐能比较大。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管，其特征在于，包括轻掺杂的体区和至少一个第一单元；所述第一单元包括：孔条状源区，其形成于体区内；所述孔条状源区是在条形源区上沿导电沟道宽度方向开有多个间隔分布的孔的源区；条状漏区，其形成于体区内且分布于孔条状源区的两侧；第一扩散区，其形成于所述孔条状源区的每个孔内；所述相邻两个第一扩散区与位于这两个第一扩散区之间的孔条状源区的部分短接；氧化物层，其覆盖于体区，孔条状源区，第一扩散区和漏区之上；栅，其形成于孔条状源区和漏区之间的氧化物层上。
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