[实用新型]沟槽式功率金氧半场效晶体管有效
| 申请号： | 201420127857.5 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN203746863U | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 许修文 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/80;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 姚垚;张荣彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种沟槽式功率金氧半场效晶体管，沟槽式功率金氧半场效晶体管的栅极包括一上掺杂区与一下掺杂区，而形成一PN结(PN junction)。如此，当沟槽式功率金氧半场效晶体管工作时，PN结所形成的接面电容可和栅极/漏极之间的电容串联，而使栅极/漏极的等效电容降低。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 半场 晶体管 | ||
【主权项】：
一种沟槽式功率金氧半场效晶体管，其特征在于，包括：一基材；一磊晶层，形成于该基材上方；以及多个沟槽式晶体管单元，形成于该磊晶层中，其中各该沟槽式晶体管单元包括一沟槽栅极结构，该沟槽栅极结构包括：一沟槽，形成于该磊晶层中，该沟槽的内侧壁形成有一绝缘层；以及一栅极，形成于该沟槽内，其中该栅极包括一上掺杂区与一下掺杂区，以形成一PN结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于帅群微电子股份有限公司，未经帅群微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420127857.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
