[实用新型]TPT背膜结构有效
申请号: | 201420136658.0 | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN203826403U | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 石娜;李刚 | 申请(专利权)人: | 常州回天新材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;B32B27/08 |
代理公司: | 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 | 代理人: | 沈毅 |
地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及太阳能电池的技术领域,尤其涉及一种TPT背膜结构。这种TPT背膜结构包括PET厚膜、EVA胶膜、氟膜、晶硅片和玻璃,所述氟膜分为上下两层,氟膜上下层之间设置PET厚膜,所述下层氟膜的下方设置EVA胶膜,所述EVA胶膜分为上下两层,所述EVA胶膜上下两层之间设有晶硅片,在下层EVA胶膜的下方设有玻璃。这种TPT背膜结构结构简单,使用了双面含氟背膜,保证了背膜的优异性能。 | ||
搜索关键词: | tpt 膜结构 | ||
【主权项】:
一种TPT背膜结构,包括PET厚膜(1)、EVA胶膜(2)、氟膜(3)、晶硅片(4)和玻璃(5),其特征在于:所述氟膜(3)分为上下两层,氟膜(3)上下层之间设置PET厚膜(1),所述下层氟膜(3)的下方设置EVA胶膜(2),所述EVA胶膜(2)分为上下两层,所述EVA胶膜(2)上下两层之间设有晶硅片(4),在下层EVA胶膜(2)的下方设有玻璃(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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