[实用新型]用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜有效
| 申请号： | 201420145432.7 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN204230283U | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 侯义合;张冬冬;丁雷;刘加庆;谭婵;朱学谦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜结构。该二维光子晶体厚膜是刻蚀在QWIP-LED器件电极层上的有限深空气孔阵列，厚膜的结构参数是针对QWIP-LED发光波长进行优化得到的。厚膜结构的制作是可采用标准的纳米加工技术，工艺简单。该厚膜结构在QWIP-LED器件上的应用，一方面可大幅提升QWIP-LED器件的光提取效率，从而使器件的红外上转换效率得以提高；另外一方面充分保护了器件的电气特性，从而保证了QWIP-LED图像输出功能不受破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 qwip led 提取 效率 二维 光子 晶体 | ||
【主权项】：
一种用于提高QWIP‑LED光提取效率的二维光子晶体厚膜，其特征在于：所述的二维光子晶体厚膜（2）位于QWIP‑LED器件LED一侧的电极层（1）上，覆盖整个发光面；二维光子晶体厚膜（2）采用GaAs材料制作，其结构为正三角形阵列排列的孔状结构，孔的深度为285‑295nm，孔的半径为320nm‑330nm，晶格常数取值范围为700‑720nm。
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