[实用新型]一种基于DC-DC的带隙基准电路结构

摘要

本实用新型提供了一种基于DC-DC的带隙基准电路结构，其结构简单，占用面积小，具有低功耗、高精度等特点可达到省电、高效率要求，可为系统中其它模块电路提供一个与电源电压、温度、工艺无关的参考电压或电流，且其高精度对系统静态和噪声性能也具有重要影响，有较好的工作性能；其包括基准电路模块，所述基准电路模块包括输入模块、带隙主电路模块和输出偏置电压电路模块，所述输入模块连接所述带隙主电路模块的输入端，所述带隙主电路模块的输出端连接所述输出偏置电压电路模块的输入端。

主权项

一种基于DC‑DC的带隙基准电路结构，其特征在于：其包括基准电路模块，所述基准电路模块包括输入模块、带隙主电路模块和输出偏置电压电路模块，所述输入模块连接所述带隙主电路模块的输入端，所述带隙主电路模块的输出端连接所述输出偏置电压电路模块的输入端；所述输入模块包括电阻R7、MOS管PM6、PM7；所述带隙主电路模块包括MOS管PM1~PM5、NM1~NM5、三极管Q1~Q3、电阻R0~R3、电容C0；所述输出偏置电压电路模块包括MOS管NM6、电阻R4~R6、电容C1~C3，所述MOS管PM1~PM7为P沟道MOS管，所述MOS管NM1~NM6为N沟道MOS管，所述MOS管PM1~PM7的源极分别与其对应的衬底极相连，所述MOS管PM6、PM7的源极相连并接电源VDD，所述MOS管PM6的漏极连接所述电阻R7的一端，所述MOS管PM7的漏极与所述MOS管PM1、PM2、PM3、PM4的源极均连接，所述MOS管PM1、PM2的栅极相连接并与所述MOS管PM2的漏极连接后接于所述三极管Q1的集电极，所述MOS管PM3、PM4的栅极相连接并与所述MOS管PM3的漏极连接后接于所述三极管Q2的集电极，所述三极管Q1、Q2的发射极相连后接于所述MOS管NM3的漏极，所述电阻R0的一端连接所述电阻R2的一端、三极管Q1的基极，所述电阻R0的另一端连接所述电阻R1的一端、三极管Q2的基极、MOS管NM4的漏极，所述电阻R1的另一端与所述MOS管NM4的源极、三极管Q3的基极、集电极均相连接，所述MOS管NM4的源极、衬底极相连，所述MOS管NM1的栅极、漏极连接后接于所述MOS管PM1的漏极，所述MOS管NM1、NM2的栅极相连接，所述MOS管NM2的漏极与所述MOS管PM4的漏极、MOS管PM5的栅极、电阻R3的一端均连接，所述电阻R3的另一端连接所述电容C0的一端，所述电阻R4的一端连接所述电阻R5、电容C2的一端，所述电阻R5的另一端连接所述电阻R6、电容C1的一端，所述MOS管NM5的漏极、MOS管NM4、NM6的栅极、MOS管PM5的源极、电阻R2、R4的另一端、电容C3的一端均连接于所述电阻R7的另一端，所述MOS管NM1、NM2、NM3、NM5的源极、衬底极、MOS管NM6的源极、漏极、衬底极、三极管Q3的发射极、电阻R6、电容C0、C1、C2、C3的另一端、MOS管PM5的漏极均相连后接地；所述MOS管PM6、NM3的栅极分别为输入模块、带隙主电路模块的电压偏置端；所述MOS管PM7、NM5的栅极分别为输入模块、带隙主电路模块的信号使能端。