[实用新型]一种相变存储器加热电极及相变存储器有效
| 申请号： | 201420162810.2 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN203871379U | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 孔涛;张杰;黄荣;卫芬芬;程国胜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种相变存储器，具体地说是通过以纳米锥阵列为模板制备纳米阵列加热电极，从而减小加热电极的实际有效面积，减小加热电极与相变材料的接触面积，提高加热电流密度。从而就避免了直接制备纳米加热电极(100nm以下)的困难，降低制造成本，更重要的是降低了相变存储器的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 加热 电极 | ||
【主权项】：
一种相变存储器，其特征在于，包括：衬底；纳米锥模板，形成于所述衬底上，所述纳米锥模板包括至少一个锥体；金属薄膜，覆盖于所述纳米锥模板上，位于所述每个锥体表面的金属薄膜构成一加热电极；绝缘介质层，形成于所述金属薄膜上，定义所述加热电极的顶端为接触端，该接触端曝露在所述绝缘介质层的上方；相变材料层，与所述加热电极的接触端接触。
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