[实用新型]一种防止电子管的电子溅射结构有效
| 申请号： | 201420169610.X | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN203812849U | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张志然;王少华 | 申请（专利权）人： | 江西景光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J19/38 | 分类号： | H01J19/38;H01J19/70 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种防止电子管的电子溅射结构，它涉及电子元器件技术领域，它包含电子管管座、电子管栅极、钽铌薄片层，电子管管座上设置有电子管栅极，电子管栅极的下端非控制阴极电子发射区域焊接有钽铌薄片层。它结构设计合理，简单实用，焊接方便，既阻挡了阴极电子从非控制阴极电子发射的区域溅射电子，又利用钽铌材料在一定温度状态下具有良好吸气的功能，维持并能够提高电子管的真空度，杜绝了电子管出现早期失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 电子管 电子 溅射 结构 | ||
【主权项】：
一种防止电子管的电子溅射结构，其特征在于：它包含电子管管座(1)、电子管栅极(2)、钽铌薄片层(3)，电子管管座(1)上设置有电子管栅极(2)，电子管栅极(2)的下端非控制阴极电子发射区域焊接有钽铌薄片层(3)。
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