[实用新型]硅衬底上的硅柱阵列有效
| 申请号： | 201420171106.3 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN204138341U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 崔波;里彭·库马尔·戴 | 申请（专利权）人： | 崔波;里彭·库马尔·戴 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 加拿大安大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅衬底上的硅柱阵列，每个硅柱在衬底上一体成型，每个硅柱包括：与衬底相距的顶点，在衬底上一体成型的基座，和延伸于顶点和基座之间的柱体，所述柱体的横截面形状在其长度范围内相同，其中，该柱体的轴纵横比大于基座的纵横比。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 阵列 | ||
【主权项】：
硅衬底上的硅柱阵列，其特征在于，所述硅柱阵列形成于衬底上，，每个硅柱在所述衬底上单独形成，每个硅柱包括：与所述衬底相距的顶点，在所述衬底上一体成型的基座，和延伸于顶点和基座之间的柱体，柱体的横截面形状在其长度范围内相同，其中，所述柱体的轴纵横比大于所述基座的纵横比。
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