[实用新型]低压保护电路有效
申请号: | 201420191867.5 | 申请日: | 2014-04-16 |
公开(公告)号: | CN203839927U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 沈孙园 | 申请(专利权)人: | 浙江商业职业技术学院 |
主分类号: | H02H7/12 | 分类号: | H02H7/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种低压保护电路。低压保护电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PNP管、第二PNP管、第一反相器和第二反相器。利用本实用新型提供的低压保护电路能提供高精度的低压保护翻转点。 | ||
搜索关键词: | 低压 保护 电路 | ||
【主权项】:
低压保护电路,其特征在于包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PNP管、第二PNP管、第一反相器和第二反相器:所述第一电阻的一端接电源VCC和所述第一PMOS管的源极,另一端接所述第二电阻的一端和所述第一PMOS管的漏极;所述第二电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端,另一端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端;所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端,另一端接所述第一PNP管的发射极和所述第二PMOS管的栅极;所述第四电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端,另一端接所述第五电阻的一端和所述第三PMOS管的栅极;所述第五电阻的一端接所述第四电阻的一端和所述第三PMOS管的栅极,另一端接所述第二PNP管的发射极;所述第一PMOS管的栅极接所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端,漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端,源极接电源VCC和所述第一电阻的一端;所述第二PMOS管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的发射极,漏极接地,源极接所述第七PMOS管的漏极和所述第十二PMOS管的源极;所述第三PMOS管的栅极接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端,漏极接地,源极接所述第五PMOS管的漏极和所述第十一PMOS管的源极;所述第四PMOS管的栅极接偏置电压VB1,漏极接所述第五PMOS管的源极,源极接电源VCC;所述第五PMOS管的栅极接偏置电压VB2,漏极接所述第三PMOS管的源极和所述第十一PMOS管的源极,源极接所述第四PMOS管的漏极;所述第六PMOS管的栅极接偏置电压VB1,漏极接所述第七PMOS管的源极,源极接电源VCC;所述第七PMOS管的栅极接偏置电压VB2,漏极接所述第二PMOS管的源极和所述第十二PMOS管的源极,源极所述第六PMOS管的漏极;所述第八PMOS管的栅极接偏置电压VB1,漏极接所述第九PMOS管的源极,源极接电源VCC;所述第九PMOS管的栅极接偏置电压VB2,漏极接所述第四NMOS管的漏极和所述第一反相器的输入端,源极接所述第八PMOS管的漏极;所述第十PMOS管的栅极接漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极,源极接电源VCC;所述第十一PMOS管的栅极接所述第十PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第十二PMOS管的栅极,漏极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极,源极接所述第三PMOS管的源极和所述第五PMOS管的漏极;所述第十二PMOS管的栅极接所述第一NMOS管的漏极和所述第十PMOS管的栅极和漏极和所述第十二PMOS管的栅极,漏极接所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极,源极接所述第二PMOS管的源极和所述第七PMOS管的漏极;所述第一NMOS管的栅极接偏置电压VB3,漏极接所述第十PMOS管的栅极和漏极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极,源极接地;所述第二NMOS管的栅极接漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的漏极,源极接地;所述第三NMOS管的栅极所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第十一PMOS管的漏极,漏极接所述第十二PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极,源极接地;所述第四NMOS管的栅极接所述第十二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极,漏极接所述第九PMOS管的漏极和所述第一反相器的输入端;所述第一PNP管的基极接地,集电极接地,发射极接所述第三电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极;所述第二PNP管的基极接地,集电极接地,发射极接所述第五电阻的一端;所述第一反相器的输入端接所述第九PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极,输出端接所述第一PMOS管的栅极和所述第二反相器的输入端;所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端和所述第一PMOS管的栅极,输出端为低压保护电路输出。
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