[实用新型]一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器有效
| 申请号： | 201420196540.7 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN203811323U | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 吴亚明;刘京;孙艳美;姚朝辉;徐永康 | 申请（专利权）人： | 江苏森博传感技术有限公司 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 | 代理人： | 李妙英 |
| 地址： | 214203 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，涉及微机电系统（MEMS）传感器和真空传感器制造领域，包括上极板、下极板、中间绝缘层、真空腔以及上下极板上的电引线焊盘，真空腔是上极板与中间绝缘层间、或者上极板、中间绝缘层与下极板间形成的密封腔，真空腔内设计有绝缘支撑柱阵列，所述绝缘支撑柱的顶端面与上极板间留有空隙。本实用新型能有效测量高真空度、覆盖真空度范围大、制作工艺简单，有效解决现有技术的微型电容薄膜传感器存在的敏感薄膜破裂、粘附失效以及所用玻璃材料放气等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 微机 系统 技术 电容 真空 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，包括上极板、下极板、中间绝缘层、真空腔以及上下极板上的电引线焊盘，其特征在于真空腔是上极板与中间绝缘层间、或者上极板、中间绝缘层与下极板间形成的密封腔，真空腔内设计有绝缘支撑柱阵列，所述绝缘支撑柱的顶端面与上极板间留有空隙。
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