[实用新型]一种GaN 基LED的PGaN外延结构有效
| 申请号： | 201420196883.3 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN203850328U | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王爱民;潘鹏;袁凤坡;王波;周晓龙 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN基LED的PGaN外延结构，从下向上依次包括衬底、低温GaN缓冲层、第一GaN非掺杂层、N型GaN层、电子发射层、发光量子阱层、PAlGaN/PInGaN电子阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层，其改进之处在于还包括第二GaN非掺杂层，第二GaN非掺杂层位于高温P型GaN层和P型接触层之间。本实用新型在接触层与高温PGaN中插入一层非故意掺杂u-GaN来引入一种量子隧穿效应，从而降低发光二极管PGaN与电极的欧姆电阻，增加LED外量子效率，并改善二极管的静电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led pgan 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种GaN 基LED的PGaN外延结构，从下向上依次包括衬底（1）、低温GaN 缓冲层（2）、第一GaN非掺杂层（3）、N型GaN层（4）、电子发射层（5）、发光量子阱层（6）、PAlGaN/PInGaN电子阻挡层（7）、高温P 型GaN层（8）和P 型接触层（10），其特征在于其还包括第二GaN非掺杂层（9），所述第二GaN非掺杂层（9）位于高温P型GaN层（8）和P 型接触层（10）之间。
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