[实用新型]一种晶圆加热装置有效
| 申请号： | 201420197500.4 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN203787397U | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 孙士强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶圆加热装置，所述晶圆加热装置至少包括：加热腔、基座、加热器、至少一个温度传感器、控制器、固定凸台、以及功率计；所述基座设置于所述加热腔底部；所述加热器用于加热晶圆且设置于所述基座表面；所述温度传感器安装在所述加热器中；所述固定凸台用于固定晶圆且设于所述加热器表面；所述控制器通过功率电缆与所述加热器相连接；所述功率计安装在所述功率电缆上。本实用新型提供的晶圆加热装置中，在功率电缆上安装了功率计，通过功率计监测加热腔中晶圆吸收的热功率，若监测到晶圆吸收的热功率下降，则说明晶圆发生了倾斜，发现之后可将晶圆重新放置到正确的位置，降低晶圆加热不均匀的风险，提高晶圆的产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆加热装置，其特征在于，所述晶圆加热装置至少包括：加热腔、基座、加热器、至少一个温度传感器、控制器、固定凸台、以及功率计；所述基座设置于所述加热腔底部；所述加热器用于加热晶圆且设置于所述基座表面；所述温度传感器安装在所述加热器中；所述固定凸台用于固定晶圆且设于所述加热器表面；所述控制器通过功率电缆与所述加热器相连接；所述功率计安装在所述功率电缆上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
