[实用新型]一种DC/DC变换器

摘要

本实用新型提供一种DC/DC变换器，包括供电电路、变压器、整流电路、反馈电路和单端反激式脉宽调制电路；所述变压器的初级线圈一端连接所述供电电路，所述变压器的次级线圈连接所述整流电路，所述的供电电路还对单端反激式脉宽调制电路进行供电，所述整流电路另一端连接所述反馈电路，所述反馈电路另一端连接所述单端反激式脉宽调制电路。本实用新型采用单端反激式脉宽调制原理设计，在该军用模块的输入端增加EMI滤波器与抑制波纹尖峰的模块，使得纹波在理想状态，可以在9V～36V宽输入电压范围下工作，能够顺利通过EMI,EMC等电磁兼容试验，特别适用于复杂电磁环境工作场所。

主权项

一种DC/DC变换器，其特征在于，包括供电电路、变压器、整流电路、反馈电路和单端反激式脉宽调制电路；所述变压器的初级线圈一端连接所述供电电路，所述变压器的次级线圈连接所述整流电路，所述的供电电路还对单端反激式脉宽调制电路进行供电，所述整流电路另一端连接所述反馈电路，所述反馈电路另一端连接所述单端反激式脉宽调制电路。2. 根据权利要求1所述的DC/DC变换器，其特征在于，所述供电电路包括耦合电感‑电容滤波电路和单端反激式脉宽调制电路的供电电路，所述耦合电感‑电容滤波电路包括电感L1、电感L2、电感L3、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R1和电阻R2；所述电感L1和所述电感L2耦合，所述电感L1一端连接电压输入正端，另一端连接所述电感L3， 所述电感L3另一端连接所述电容C2、C3、C4、C5和C6并联组成电路的一端；所述电感L2一端连接电压输入负端，另一端连接所述电容C2、C3、C4、C5和C6并联组成电路的一端；所述电容C1一端连接电压输入正端，另一端连接所述电阻R2，所述电阻R2另一端连接电压输入负端，所述电阻R1一端连接电压输入负端，另一端连接所述电容C7，所述电容C7、电容C8和电容C9呈星形连接，所述电容C8另一端连接电感L3的一端，所述电容C9另一端连接电感L2的一端，所述电容C7另一端连接所述电阻R1的另一端；所述单端反激式脉宽调制电路的供电电路包括电阻R3、电阻R4、电容C10、电容C11、稳压二极管Z1和三极管Q1，所述电阻R3一端连接所述电感L3的一端，另一端连接所述三极管Q1的基极，所述电阻R4一端连接所述电感L3的一端，另一端连接所述三极管Q1的集电极，所述电容C10一端接地，另一端连接所述三极管Q1的基极，所述电容C11一端连接所述电感L3的一端，另一端接地，所述稳压二极管Z1的阴极连接所述三极管Q1的基极，另一端接地，所述三极管Q1的集电极连接所述电阻R4，所述三极管Q1的发射极连接所述单端反激式脉宽调制电路。3. 根据权利要求1所述的DC/DC变换器，其特征在于，所述整流电路包括由二极管D1与D2组成的全波整流电路和电感L4与电容C12组成的滤波电路；所述二极管D1的阳极连接所述变压器的次级线圈，阴极连接所述电感L4的一端，所述二极管D2的阳极连接所述变压器的次级线圈，阴极连接所述电感L4的一端，所述电感L4一端连接全波整流电路，另一端连接电压输出端，所述电容C12一端连接电感L4的一端，另一端参考接地。4. 根据权利要求2所述的DC/DC变换器，其特征在于，所述反馈电路包括电压采样电路和光耦合器U1，所述电压采样电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C13和三端可调分流基准源U2；所述电阻R5一端连接所述光耦合器U1，另一端连接所述单端反激式脉宽调制电路，所述电阻R6一端连接所述三端可调分流基准源U2的参考极，另一端参考接地，所述电阻R7一端连接所述可调分流基准源U2的参考极，另一端连接所述电阻R8，所述电阻R8一端连接所述电阻R7，另一端连接电压输出端，所述电阻R9一端连接电压输出端，另一端连接所述光耦合器U1，所述电容C13一端连接所述电阻R6和电阻R7的公共端 ，另一端连接所述光耦合器U1，所述可调分流基准源U2的阳极端参考接地，阴极端连接所述光耦合器U1。5. 根据权利要求4所述的DC/DC变换器，其特征在于， 所述单端反激式脉宽调制电路包括芯片U3、MOS管T1、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电容C14、电容C15、电容C16、电容C17、电容C18和三极管Q2；所述芯片U3型号为UCC2803，所述芯片U3的管脚1外接阻容元件，所述芯片U3的管脚2和管脚5接地，所述芯片U3的管脚3 通过所述电阻R13连接所述三极管Q2的发射极，所述芯片U3的管脚4连接所述三极管Q2的基极，所述芯片U3的管脚6连接所述MOS管T1的栅极，所述芯片U3的管脚7与所述三极管Q1的发射极连接，所述芯片U3的管脚8通过所述电阻R5与所述反馈电路连接；所述MOS管T1的漏极连接所述变压器的初级线圈，所述MOS管T1的源极连接所述电阻R10与所述电阻R11的公共端，所述MOS管T1的栅极连接所述芯片U3的管脚6，所述电阻R10一端接地，另一端连接所述MOS管T1的源极，所述电阻R11一端连接所述MOS管T1的源极，另一端连接所述芯片U3的管脚3，所述电阻R12一端连接所述三极管Q2的基极，另一端连接所述芯片U3的管脚8，所述电阻R13一端连接所述三极管Q2的发射极，另一端连接所芯片U3的管脚3，所述电容C14一端连接所述电容C17，另一端参考接地，所述电容C15一端接地，另一端连接所述三极管Q1的发射极，所述电容C16一端接地，另一端连接所述三极管Q2的基极，所述电容C17一端接地，另一端连接所述芯片U3的管脚3，所述电容C18一端接地，另一端连接所述三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的基极连接所述电阻R12与电容C16的公共端，集电极连接芯片U3的管脚8，发射极连接所述电阻R13。