[实用新型]MOSFET半桥驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种MOSFET半桥驱动电路，包括死区时间控制电路。死区时间控制电路包括：第一充放电电路，第一充放电电路包括第一电阻和第一电容，第一电阻的一端为该死区时间控制电路的信号输入端；第一电容的一端与第一电阻的另一端连接，另一端接地；电平转换电路，电平转换电路的输入端连接于第一电阻和第一电容的共接点，输出端与PMOS管的栅极连接；第二充放电电路，第二充放电电路包括稳压管和第二电容，稳压管的负极与第一电阻的一端连接，第二电容的一端与稳压管正极连接，另一端接地；NMOS管的栅极连接于稳压管与第二电容的共接点。本实用新型在MOSFET半桥的上管和下管切换时实现了快关慢开,有效地产生了死区。

主权项

MOSFET半桥驱动电路，该MOSFET半桥包括上管和下管，所述的上管为PMOS管，所述的下管为NMOS管，所述PMOS管的源极与半桥驱动电路电源连接，所述PMOS管的漏极与所述NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的源极接地；其特征在于，该MOSFET半桥驱动电路包括死区时间控制电路；其中： 所述的死区时间控制电路包括： 第一充放电电路，该第一充放电电路包括第一电阻和第一电容，所述第一电阻的一端为该死区时间控制电路的信号输入端，第一电容的一端与第一电阻的另一端连接，第一电容的另一端接地； 电平转换电路，该电平转换电路的输入端连接于所述第一电阻和第一电容的共接点，输出端与所述PMOS管的栅极连接； 第二充放电电路，该第二充放电电路包括稳压管和第二电容，所述稳压管的负极与第一电阻的一端连接，所述第二电容的一端与该稳压管的正极连接，第二电容的另一端接地；所述NMOS管的栅极连接于所述稳压管与所述第二电容的共接点。