[实用新型]一种掩膜板及离子注入设备有效
| 申请号： | 201420217020.X | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN203826346U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 白妮妮;张琨鹏;王凤国 | 申请（专利权）人： | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 017000 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及离子掺杂技术领域，公开了一种掩膜板及一种离子注入设备。所述掩膜板包括：透过掺杂离子的全透过区、透过部分掺杂离子的半透过区，以及不透过掺杂离子的全遮挡区，其中，所述全透过区正对基板的重掺杂区域，所述半透过区正对基板的轻掺杂区域，所述全遮挡区正对基板的无掺杂区域。在本实用新型技术方案中，当需要对基板进行重掺杂和轻掺杂时，仅需采用上述具有全透过区、半透过区和全遮挡区的掩膜板直接进行离子注入，在基板相应的区域形成重掺杂区域、轻掺杂区域和无掺杂区域，避免了现有的多次光刻工艺，实现了不同区域不同浓度的一次性离子掺杂，大大简化了半导体器件制程的复杂性，提高了产品的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜板 离子 注入 设备 | ||
【主权项】：
一种掩膜板，其特征在于，包括：透过掺杂离子的全透过区、透过部分掺杂离子的半透过区，以及不透过掺杂离子的全遮挡区，其中，所述全透过区正对基板的重掺杂区域，所述半透过区正对基板的轻掺杂区域，所述全遮挡区正对基板的无掺杂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
