[实用新型]一种电熔丝结构有效
| 申请号： | 201420226039.0 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN203826373U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种电熔丝结构，所述电熔丝结构至少包括：第一端子、第二端子以及连接所述第一端子和第二端子的互连结构；所述第一端子和所述第二端子上至少设置有一个接近于所述互连结构且垂直于所述互连结构的长条形接触电极。本实用新型的电熔丝结构通过在阴极端子接近熔丝位置处设置长条形接触电极，来减少被推到阳极端的多晶硅数量，以此减少完成电致迁移所需的多晶硅，提高低工作电压下的电熔丝编程效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电熔丝 结构 | ||
【主权项】：
一种电熔丝结构，其特征在于，所述电熔丝结构至少包括：第一端子、第二端子以及连接所述第一端子和第二端子的互连结构；所述第一端子和所述第二端子上至少设置有一个接近于所述互连结构且垂直于所述互连结构的长条形接触电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420226039.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
