[实用新型]复合晶片以及功能元件有效
| 申请号： | 201420231586.8 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN204067415U | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 今井克宏;岩井真;坂井正宏;吉野隆史 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种包括蓝宝石基板以及设置在所述蓝宝石基板上的氮化镓晶体层的复合晶片。复合晶片为4英寸或6英寸晶片，复合晶片为4英寸晶片时，在25℃下的翘曲为+20～+150μm，在1000℃下的翘曲为-80～+50μm；复合晶片为6英寸晶片时，在25℃下的翘曲为+20～+200μm，在1000℃下的翘曲为-100～+80μm。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 晶片 以及 功能 元件 | ||
【主权项】：
一种复合晶片，其特征在于，该复合晶片包括蓝宝石基板以及设置在所述蓝宝石基板上的氮化镓晶体层， 所述复合晶片为4英寸或6英寸晶片，所述复合晶片为4英寸晶片时，在25℃下的翘曲为+20～+150μm，在1000℃下的翘曲为‑80～+50μm；所述复合晶片为6英寸晶片时，在25℃下的翘曲为+20～+200μm，在1000℃下的翘曲为‑100～+80μm。
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