[实用新型]热载流子测试电路有效
申请号: | 201420234965.2 | 申请日: | 2014-05-08 |
公开(公告)号: | CN203811768U | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 甘正浩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型揭示了一种热载流子测试电路,包括功率开关管以及n个反相器,所述功率开关管的漏极连接工作电压,所述功率开关管的栅极连接开关信号,每一所述反相器包括一对PMOS晶体管和NMOS晶体管,PMOS晶体管的源极连接所述功率开关管的源极,所述NMOS晶体管的源极接地,PMOS晶体管的栅极连接NMOS晶体管的栅极,作为所述反相器的输入端,PMOS晶体管的漏极连接NMOS晶体管的漏极,作为所述反相器的输出端。该热载流子测试电路中,所述开关信号为低电平时,至少一所述反相器空接,至少另一所述反相器连接压力电压;所述开关信号为高电平时,测量所述一反相器与所述另一反相器之间的电压差异,从而可以通过所述反相器之间阈值电压的变化差异,测量器件热载流子的变化。 | ||
搜索关键词: | 载流子 测试 电路 | ||
【主权项】:
一种热载流子测试电路,其特征在于,包括功率开关管以及n个反相器,所述功率开关管的漏极连接工作电压,所述功率开关管的栅极连接开关信号,每一所述反相器包括一对PMOS晶体管和NMOS晶体管,所述PMOS晶体管的源极连接所述功率开关管的源极,所述PMOS晶体管的栅极连接所述NMOS晶体管的栅极,所述PMOS晶体管的漏极连接所述NMOS晶体管的漏极,所述NMOS晶体管的源极接地,n为大于等于2的整数。
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