[实用新型]一种实现化合物半导体材料退火的设备有效
| 申请号： | 201420247285.4 | 申请日： | 2014-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN203834053U | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 程翠然;盛丽娜;李阳 | 申请（专利权）人： | 西安西凯化合物材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人： | 邱志贤 |
| 地址： | 710072 陕西省西安市友谊*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种实现化合物半导体材料退火的设备，其特征是：至少包括：石英炉膛（1）、梯度温度加热器（2）、坩埚（3）、坩埚移动机构（4），坩埚移动机构（4）固定坩埚（3），坩埚移动机构（4）在石英炉膛（1）内活动固定，使坩埚（3）在石英炉膛（1）左右移动；石英炉膛（1）有梯度温度加热器（2）。该设备能根据晶体厚度，设定梯度温场的长度，从而快速、有效的改善半导体材料的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 化合物 半导体材料 退火 设备 | ||
【主权项】：
一种实现化合物半导体材料退火的设备，其特征是：至少包括：石英炉膛（1）、梯度温度加热器（2）、坩埚（3）、坩埚移动机构（4），坩埚移动机构（4）固定坩埚（3），坩埚移动机构（4）在石英炉膛（1）内活动固定，使坩埚（3）在石英炉膛（1）左右移动；石英炉膛（1）有梯度温度加热器（2）。
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