[实用新型]一种用于高频低压系统的场效应管驱动电路有效
申请号: | 201420252052.3 | 申请日: | 2014-05-17 |
公开(公告)号: | CN203933358U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 徐云鹏 | 申请(专利权)人: | 徐云鹏 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330096 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于高频低压系统的场效应管驱动电路,包括稳压电路、控制电路、保护电路和MOS管Q2,所述的稳压电路由稳压二极管D1和限流电阻R1组成;所述的控制电路由二极管D2、稳压管D3、MOS管Q1、电容C1和C2以及栅极输入电阻R3组成;所述的保护电路由限流电阻R2和滤波电容C3组成。该驱动电路结构简单、成本低廉,能在驱动电压结束时产生负压快速关断MOS管,适用于高频以及电路抗干扰性要求较高的场合。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 高频 低压 系统 场效应 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种用于高频低压系统的场效应管驱动电路,其特征在于,包括稳压电路、控制电路、保护电路和MOS管Q2,所述的稳压电路由稳压二极管D1和限流电阻R1组成,所述稳压二极管D1的负极与驱动电压Vg相连,所述限流电阻R1接在D1正极与所述MOS管Q1源极的两端;所述的控制电路由二极管D2、稳压管D3、MOS管Q1、电容C1和C2以及栅极输入电阻R3组成,所述的二极管D2的正极与驱动电压Vg相连,二极管D2的负极同时与所述电容C2的正极和所述MOS管Q1的漏极相连,所述稳压管D3的正极与电容C2的负极相连,所述电容C1接在MOS管Q1的栅极与源极之间,所述的栅极输入电阻R3与MOS管Q1的栅极相连;所述的栅极输入电阻R2接在电容C1负极与MOS管Q栅极的两端;所述的保护电路由限流电阻R2和滤波电容C3组成,所述的电阻R2接在电容C2的负极与MOS管Q2的栅极之间,所述的电容C3接在MOS管Q2的源极与栅极之间。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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