[实用新型]一种用于高频低压系统的场效应管驱动电路有效

专利信息
申请号: 201420252052.3 申请日: 2014-05-17
公开(公告)号: CN203933358U 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 徐云鹏 申请(专利权)人: 徐云鹏
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 330096 江西省南昌市*** 国省代码: 江西;36
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种用于高频低压系统的场效应管驱动电路,包括稳压电路、控制电路、保护电路和MOS管Q2,所述的稳压电路由稳压二极管D1和限流电阻R1组成;所述的控制电路由二极管D2、稳压管D3、MOS管Q1、电容C1和C2以及栅极输入电阻R3组成;所述的保护电路由限流电阻R2和滤波电容C3组成。该驱动电路结构简单、成本低廉,能在驱动电压结束时产生负压快速关断MOS管,适用于高频以及电路抗干扰性要求较高的场合。
搜索关键词: 一种 用于 高频 低压 系统 场效应 驱动 电路
【主权项】:
一种用于高频低压系统的场效应管驱动电路,其特征在于,包括稳压电路、控制电路、保护电路和MOS管Q2,所述的稳压电路由稳压二极管D1和限流电阻R1组成,所述稳压二极管D1的负极与驱动电压Vg相连,所述限流电阻R1接在D1正极与所述MOS管Q1源极的两端;所述的控制电路由二极管D2、稳压管D3、MOS管Q1、电容C1和C2以及栅极输入电阻R3组成,所述的二极管D2的正极与驱动电压Vg相连,二极管D2的负极同时与所述电容C2的正极和所述MOS管Q1的漏极相连,所述稳压管D3的正极与电容C2的负极相连,所述电容C1接在MOS管Q1的栅极与源极之间,所述的栅极输入电阻R3与MOS管Q1的栅极相连;所述的栅极输入电阻R2接在电容C1负极与MOS管Q栅极的两端;所述的保护电路由限流电阻R2和滤波电容C3组成,所述的电阻R2接在电容C2的负极与MOS管Q2的栅极之间,所述的电容C3接在MOS管Q2的源极与栅极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐云鹏,未经徐云鹏许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420252052.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top