[实用新型]一种沟槽式肖特基芯片有效
| 申请号： | 201420255066.0 | 申请日： | 2014-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN203850309U | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 吕新立;关仕汉;薛涛 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种沟槽式肖特基芯片，属于半导体器件制造领域。包括N型基片（6）、位于N型基片（6）上方的N型外延层（5），在N型外延层（5）上部刻蚀出多个沟槽（8），在沟槽（8）内形成氧化硅绝缘层（4）并填充有多晶硅3（3），在沟槽（8）上方依次形成肖特基界面（2）和金属层（1），其特征在于：在所述的沟槽（8）外侧设置有一个降压环（7），降压环（7）内由氧化硅绝缘层（4）填充。本实用新型的沟槽式肖特基芯片取消了传统沟槽式肖特基芯片中的硼磷硅玻璃绝缘层，降低了生产成本的同时具有与传统肖特基芯片具有相同的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 式肖特基 芯片 | ||
【主权项】：
一种沟槽式肖特基芯片，包括N型基片（6）、位于N型基片（6）上方的N型外延层（5），在N型外延层（5）上部刻蚀出多个沟槽（8），在沟槽（8）内形成氧化硅绝缘层（4）并填充有多晶硅（3），在沟槽（8）上方依次形成肖特基界面（2）和金属层（1），其特征在于：在所述的沟槽（8）外侧设置有一个降压环（7），降压环（7）内由氧化硅绝缘层（4）填充。
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