[实用新型]采用硅焊接片的表贴半导体器件有效
| 申请号： | 201420256646.1 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN203850272U | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李志福 | 申请（专利权）人： | 朝阳无线电元件有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 侯蔚寰 |
| 地址： | 122000 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 采用硅焊接片的表贴半导体器件，所述硅焊接片为重掺杂单晶硅，上表面溅射/蒸发铝层，下表面溅射/蒸发钛-镍-银金属层；所述芯片设置于壳体内部一侧，壳体的另一侧设有陶瓷体，陶瓷体上表面设有2个镀金内电极，所述硅焊接片为2个，分别与上述镀金内电极焊接，硅焊接片的铝层朝上；所述芯片与硅焊接片之间通过内引线连接；所述壳体下方与芯片及镀金内电极相对应的部位分别设有镀金外电极。本实用新型适用范围广，可避免键合点因金层脱落而造成的虚焊接或浮接等致命缺陷的隐患。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 焊接 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种采用硅焊接片的表贴半导体器件，包括壳体，芯片，内引线，陶瓷体，硅焊接片，镀金外电极，其特征在于，所述硅焊接片为重掺杂单晶硅，上表面溅射/蒸发铝层，下表面溅射/蒸发钛‑镍‑银金属层；所述芯片设置于壳体内部一侧，壳体的另一侧设有陶瓷体，陶瓷体上表面设有2个镀金内电极，所述硅焊接片为2个，分别与上述镀金内电极焊接，硅焊接片的铝层朝上；所述芯片与硅焊接片之间通过内引线连接；所述壳体下方与芯片及镀金内电极相对应的部位分别设有镀金外电极。
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