[实用新型]单级低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 201420258649.9 申请日: 2014-05-20
公开(公告)号: CN204046524U 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 吴志毅 申请(专利权)人: 吴志毅;四川信息职业技术学院
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26
代理公司: 成都中亚专利代理有限公司 51126 代理人: 王岗
地址: 628017 四川省广元市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种单级低噪声放大器,其特征在于:包括,输入高通阻抗匹配网络、输出高通阻抗匹配网络,输入高通阻抗匹配网络选用带阻加变容管高通滤波器结构,其中,输入高通阻抗匹配网络和输出高通阻抗匹配网络均为π型匹配网络;输入高通阻抗匹配网络包含有由变容二极管串联形成的电容组合部分;还包括由1R99\1R100\1C165\1R104为栅极提供偏置电路、由1R94\1L151\1L53\1C163为漏极提供偏置电路,所述输出高通阻抗匹配网络包括输出级带通滤波器。本实用新型所述的单级低噪声放大器,该产品主要特点:模块化、小型化、低噪声、增益高、带外抑制性能好、低功耗、工作电压低、可靠性高、适应环境温度范围宽(-30—+60℃)。
搜索关键词: 低噪声放大器
【主权项】:
一种单级低噪声放大器,其特征在于:包括,输入高通阻抗匹配网络(1)、输出高通阻抗匹配网络(5),输入高通阻抗匹配网络(1)选用带阻加变容管高通滤波器结构,其中,输入高通阻抗匹配网络(1)和输出高通阻抗匹配网络(5)均为π型匹配网络;输入高通阻抗匹配网络(1)包含有由变容二极管串联形成的电容组合部分(2);栅极偏置电路(3)由电阻1R99、电阻1R100、电容1C165、电阻1R104组成;漏极偏置电路(4)由电阻1R94、电感1L151、电感1L53、电容1C163组成;所述输出高通阻抗匹配网络(5)包括输出级带通滤波器(6)。 
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