[实用新型]采用片上微带分路合路器的单片集成功率放大器芯片有效
申请号: | 201420260064.0 | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN203933548U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 袁立凯;叶松 | 申请(专利权)人: | 江苏博纳雨田通信电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/189 | 分类号: | H03F3/189;H03F3/20 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 210016 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种单片集成功率放大器芯片,包括片上微带功分器、片上微带合路器和两路相同的功率放大器;本芯片的射频输入端连接片上微带功分器的合路输入端口,片上微带功分器的第一、二分路输出端口分别连接两路功率放大器的输入端;两路功率放大器的输出端分别连接片上微带合路器的第一、二分路输入端口,片上微带合路器的合路输出端口连接本芯片的射频输出端口,是片上微带功分器和片上微带合路器的结构是相同的威尔金森结构。所述两路功率放大器中,每一路功率放大器都是由一个功率放大器单体构成,或者是由多个独立的功率放大器单体依次串联构成。还包括有源偏置电路,有源偏置电路的数量与功率放大器单体的数量相同,各个有源偏置电路构成有源偏置网络。 | ||
搜索关键词: | 采用 微带 分路 合路器 单片 集成 功率放大器 芯片 | ||
【主权项】:
一种采用片上微带分路合路器的单片集成功率放大器芯片,包括片上微带功分器、片上微带合路器和两路相同的功率放大器;本芯片的射频输入端连接片上微带功分器的合路输入端口,片上微带功分器的第一、二分路输出端口分别连接两路功率放大器的输入端;两路功率放大器的输出端分别连接片上微带合路器的第一、二分路输入端口,片上微带合路器的合路输出端口连接本芯片的射频输出端口;片上微带功分器和片上微带合路器的结构是相同的威尔金森结构;威尔金森结构的合路端口为片上微带功分器的合路输入端口,威尔金森结构的两个分路端口为片上微带功分器的第一、二分路输出端口;威尔金森结构的合路端口为片上微带合路器的合路输出端口,威尔金森结构的两个分路端口为片上微带合路器的第一、二分路输入端口;所述两路功率放大器中,每一路功率放大器都是由一个功率放大器单体构成,或者是由多个独立的功率放大器单体依次串联构成,其特征是还包括有源偏置电路,有源偏置电路的数量与功率放大器单体的数量相同,各个有源偏置电路构成有源偏置网络;对于任一有源偏置电路包括如下器件: 三个晶体管M1、M2和M3;其中,对于晶体管M1和M2,它们各自的栅极和漏极连接; 电容C1; 电阻R1、R2和R_bias; 所述晶体管M1的漏极通过电阻R1连接参考电压Vref;晶体管M1的栅极通过电容C1接地; 所述晶体管M2的漏极连接晶体管M1的源极;晶体管M2的源极接地; 所述晶体管M3的漏极连接电源VCC;晶体管M3的栅极通过电容C1接地;晶体管M3的源极通过电阻R2接地;所述电阻R_bias的一端连接晶体管M3的源极; 对于所述功率放大器单体,功率放大器单体的信号输入端连接R_bias的另一端,同时,功率放大器单体的输入信号通过隔直电容C2传到功率放大器单体的信号输入端。
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