[实用新型]集成电路保护结构

摘要

集成电路保护结构，包括静电保护器件，包围所述静电保护器件的保护环，所述保护环至少包括第一物理层、第二物理层、第一物理层和第二物理层之间通过多个的孔连接，在静电保护环曲率最大的一处或多处区域下方埋设有泄放器件，所述泄放器件一端连接第一物理层或第二物理层，另一端连接静电泄放导线。采用本实用新型所述集成电路保护结构，在曲率最大的电力线集中处增加了泄放器件，在静电大电流来临时，电流不仅在水平方向流动，而且在竖直方向泄放，提高了曲率大的区域，特别是拐角处的电流泄放能力，增强了拐角处的耐压，提高了整个芯片的抗静电等级。

主权项

集成电路保护结构，包括静电保护器件，包围所述静电保护器件的保护环，所述保护环至少包括第一物理层、第二物理层、第一物理层和第二物理层之间通过多个的孔连接，其特征在于，在静电保护环曲率最大的一处或多处区域下方埋设有泄放器件，所述泄放器件一端连接第一物理层或第二物理层，另一端连接静电泄放导线。 2.一种如权利要求1所述的集成电路保护结构，其特征在于，所述第一物理层和第二物理层为半导体工艺中任意两个紧邻的层。3.一种如权利要求1所述的集成电路保护结构，其特征在于，所述第一物理层和第二物理层为上下紧邻的金属层。4. 一种如权利要求1所述的集成电路保护结构，其特征在于，所述泄放二极管上方的孔密度小于静电保护环其他区域，且曲率最大处没有孔。5. 一种如权利要求1所述的集成电路保护结构，其特征在于，所述静电保护环为矩形，在矩形拐角处埋设有泄放器件。6. 一种如权利要求5所述的集成电路保护结构，其特征在于，所述矩形拐角处的第一物理层和/或第二物理层被截去了直角部分。7. 一种如权利要求1所述的集成电路保护结构，其特征在于，所述泄放器件为二极管、二极管形式连接的晶体管或MOS管、SCR器件中的一种。