[实用新型]一种纳米线阵列干涉传感器有效
申请号: | 201420270591.X | 申请日: | 2014-05-26 |
公开(公告)号: | CN203894162U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 李秋顺;董文飞;史建国;郑晖;李恒杰;马耀宏 | 申请(专利权)人: | 山东省科学院中日友好生物技术研究中心 |
主分类号: | G01N21/45 | 分类号: | G01N21/45 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 于晓晓 |
地址: | 250014 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种纳米线阵列干涉传感器,是在表面长有纳米线阵列的导电玻璃与45°/45°/90°玻璃三棱镜或半圆棱镜耦合,构建基于Kretschmann结构的角度调制型或波长调制型纳米线阵列干涉传感器,本实用新型制备工艺简单,与表面等离子体共振分析仪相比,大大简化了传感芯片的制作工艺,降低了器件的制作成本,大大提高了对折射率检测的灵敏度。在食品安全、环境监测、医学检验等领域具有广阔的商业化应用前景,有望被广泛推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 阵列 干涉 传感器 | ||
【主权项】:
一种纳米线阵列干涉传感器,其特征在于,表面长有纳米线阵列的导电玻璃与45°/45°/90°玻璃三棱镜或半圆棱镜耦合,构建基于Kretschmann结构的角度调制型或波长调制型纳米线阵列干涉传感器,所述的导电玻璃为覆盖有导电薄膜成的玻璃基底,该纳米线阵列干涉传感器由下到上依次包括45°/45°/90°玻璃三棱镜或半圆棱镜、玻璃基底、位于玻璃基底上的导电薄膜和在导电薄膜表面的作为干涉传感层的纳米线阵列,所述的纳米线阵列由生长方向垂直于导电薄膜纳米线平行排列构成。
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